1 (p1): 第一章 薄膜通论 1 (p1-1): 一、薄膜及其特点 5 (p1-2): 二、薄膜的制备 11 (p1-3): 三、薄膜的生长过程 18 (p1-4): 四、气相淀积统一模型 24 (p1-5): 五、薄膜材料及其应用 31 (p1-6): 思考与练习一 32 (p1-7): 第一章参考文献 34 (p2): 第二章 薄膜生长理论中的流体力学基础 34 (p2-1): 一、基本概念 37 (p2-2): 二、流体质点的变形与连续方程 41 (p2-3): 三、动量方程 45 (p2-4): 四、能量方程 48 (p2-5): 五、可压缩流体的流动 55 (p2-6): 六、顺流平板附面层问题 59 (p2-7): 思考与练习二 60 (p2-8): 第二章参考文献 61 (p3): 第三章 传质理论与计算 61 (p3-1): 一、概述 63 (p3-2): 二、分子传质 66 (p3-3): 三、扩散系数 73 (p3-4): 四、热扩散 80 (p3-5): 五、对流传质与相间传质 89 (p3-6): 思考与练习三 89 (p3-7): 第三章参考文献 91 (p4): 第四章 薄膜生长过程中的热计算 91 (p4-1): 一、传热方式和热导率 99 (p4-2): 二、发热的计算 101 (p4-3): 三、传导散热的分折与计算 111 (p4-4): 四、对流散热的分析与计算 122 (p4-5): 五、辐射散热的分析与计算 130 (p4-6): 六、温升与冷却过程分析 134 (p4-7): 七、激光束对薄膜的热效应分析 139 (p4-8): 思考与练习四 139 (p4-9): 第四章参考文献 141 (p5): 第五章 化学热力学与反应动力学基础 141 (p5-1): 一、概述 143 (p5-2): 二、化学反应中的热效应 151 (p5-3): 三、薄膜生长过程中的其它热效应 156 (p5-4): 四、化学平衡及其计算 162 (p5-5): 五、化学反应速率 168 (p5-6): 六、化学反应活化能 170 (p5-7): 七、典型均相反应分析 177 (p5-8): 八、吸附与脱附 185 (p5-9): 九、表面反应 189 (p5-10): 思考与练习五 189 (p5-11): 第五章参考文献 191 (p6): 第六章 热CVD技术与理论 191 (p6-1): 一、热CVD的反应室结构 198 (p6-2): 二、晶体硅薄膜的制备技术与理论 206 (p6-3): 三、非晶硅薄膜生长 218 (p6-4): 四、陶瓷薄膜的热CVD生长 228 (p6-5): 五、化合物半导体薄膜与MOCVD 235 (p6-6): 六、热CVD薄膜的生长理论 241 (p6-7): 七、甲硅烷热CVD的生长速率模型 252 (p6-8): 思考与练习六 253 (p6-9): 第六章参考文献 256 (p7): 第七章 等离子体中的碰撞理论 256 (p7-1): 一、等离子体概述 260 (p7-2): 二、等离子体中的碰撞问题 269 (p7-3): 三、电子与中性粒子的碰撞激发 275 (p7-4): 四、电子碰撞电离 283 (p7-5): 五、离子与中性粒子的碰撞 290 (p7-6): 六、等离子体的诊断技术 297 (p7-7): 思考与练习七 298 (p8): 第七章参考文献 300 (p9): 第八章 等离子体的分析与计算 300 (p9-1): 一、等离子体的描述方法 304 (p9-2): 二、等离子体的热力学分析 312 (p9-3): 三、等离子体动力论分析 314 (p9-4): 四、直流放电鞘层中离子能量分布 321 (p9-5): 五、射频放电鞘层中离子能量分布 328 (p9-6): 六、考虑传播角度的离子能量分布 339 (p9-7): 七、电子能量分布 344 (p9-8): 八、直流辉光放电宏观参数 359 (p9-9): 九、射频辉光放电的宏观参数

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潘塘社区 关爱环卫工和保安员

Huazhong University of Science and Technology Press

徐州日报

Yan jiu sheng yong shu, Wuhan, 1993

China, People's Republic, China

Wu han, 1993.11

第03版:徐州360

Bookmarks: p1 (p1): 第一章 薄膜通论
p1-1 (p1): 一、薄膜及其特点
p1-2 (p5): 二、薄膜的制备
p1-3 (p11): 三、薄膜的生长过程
p1-4 (p18): 四、气相淀积统一模型
p1-5 (p24): 五、薄膜材料及其应用
p1-6 (p31): 思考与练习一
p1-7 (p32): 第一章参考文献
p2 (p34): 第二章 薄膜生长理论中的流体力学基础
p2-1 (p34): 一、基本概念
p2-2 (p37): 二、流体质点的变形与连续方程
p2-3 (p41): 三、动量方程
p2-4 (p45): 四、能量方程
p2-5 (p48): 五、可压缩流体的流动
p2-6 (p55): 六、顺流平板附面层问题
p2-7 (p59): 思考与练习二
p2-8 (p60): 第二章参考文献
p3 (p61): 第三章 传质理论与计算
p3-1 (p61): 一、概述
p3-2 (p63): 二、分子传质
p3-3 (p66): 三、扩散系数
p3-4 (p73): 四、热扩散
p3-5 (p80): 五、对流传质与相间传质
p3-6 (p89): 思考与练习三
p3-7 (p89): 第三章参考文献
p4 (p91): 第四章 薄膜生长过程中的热计算
p4-1 (p91): 一、传热方式和热导率
p4-2 (p99): 二、发热的计算
p4-3 (p101): 三、传导散热的分折与计算
p4-4 (p111): 四、对流散热的分析与计算
p4-5 (p122): 五、辐射散热的分析与计算
p4-6 (p130): 六、温升与冷却过程分析
p4-7 (p134): 七、激光束对薄膜的热效应分析
p4-8 (p139): 思考与练习四
p4-9 (p139): 第四章参考文献
p5 (p141): 第五章 化学热力学与反应动力学基础
p5-1 (p141): 一、概述
p5-2 (p143): 二、化学反应中的热效应
p5-3 (p151): 三、薄膜生长过程中的其它热效应
p5-4 (p156): 四、化学平衡及其计算
p5-5 (p162): 五、化学反应速率
p5-6 (p168): 六、化学反应活化能
p5-7 (p170): 七、典型均相反应分析
p5-8 (p177): 八、吸附与脱附
p5-9 (p185): 九、表面反应
p5-10 (p189): 思考与练习五
p5-11 (p189): 第五章参考文献
p6 (p191): 第六章 热CVD技术与理论
p6-1 (p191): 一、热CVD的反应室结构
p6-2 (p198): 二、晶体硅薄膜的制备技术与理论
p6-3 (p206): 三、非晶硅薄膜生长
p6-4 (p218): 四、陶瓷薄膜的热CVD生长
p6-5 (p228): 五、化合物半导体薄膜与MOCVD
p6-6 (p235): 六、热CVD薄膜的生长理论
p6-7 (p241): 七、甲硅烷热CVD的生长速率模型
p6-8 (p252): 思考与练习六
p6-9 (p253): 第六章参考文献
p7 (p256): 第七章 等离子体中的碰撞理论
p7-1 (p256): 一、等离子体概述
p7-2 (p260): 二、等离子体中的碰撞问题
p7-3 (p269): 三、电子与中性粒子的碰撞激发
p7-4 (p275): 四、电子碰撞电离
p7-5 (p283): 五、离子与中性粒子的碰撞
p7-6 (p290): 六、等离子体的诊断技术
p7-7 (p297): 思考与练习七
p8 (p298): 第七章参考文献
p9 (p300): 第八章 等离子体的分析与计算
p9-1 (p300): 一、等离子体的描述方法
p9-2 (p304): 二、等离子体的热力学分析
p9-3 (p312): 三、等离子体动力论分析
p9-4 (p314): 四、直流放电鞘层中离子能量分布
p9-5 (p321): 五、射频放电鞘层中离子能量分布
p9-6 (p328): 六、考虑传播角度的离子能量分布
p9-7 (p339): 七、电子能量分布
p9-8 (p344): 八、直流辉光放电宏观参数
p9-9 (p359): 九、射频辉光放电的宏观参数
p9-10 (p368): 思考与练习八
p9-11 (p368): 第八章参考文献
p10 (p372): 第九章 等离子体淀积技术与理论
p10-1 (p372): 一、反应室结构
p10-2 (p381): 二、离子束淀积技术
p10-3 (p392): 三、a-Si:H薄膜的制备——PFCVD
p10-4 (p400): 四、等离子体淀积中的理论问题
p10-5 (p409): 五、靶中毒的分析与缓解措施
p10-6 (p419): 六、靶中毒的微观分析
p10-7 (p426): 思考与练习九
p11 (p426): 第九章参考文献

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类型: 图书

出版日期: 1993.11

出版社: 武汉：华中理工大学出版社

页码: 432

摘要: ...:本书包括流体力学、传质、传热、化学反应动力等有关薄膜气相生长的理论基础和热CVD及等离子体淀积两部分专论。

开本: 20cm

价格: 3.90

类型: 报纸

报纸名称: 徐州日报

出版日期: 2015.04.30

版次: 第03版：徐州360

...:本书包括流体力学、传质、传热、化学反应动力等有关薄膜气相生长的理论基础和热CVD及等离子体淀积两部分专论。

本书包括流体力学, 传质, 传热, 化学反应动力等有关薄膜气相生长的理论基础和热CVD及等离子体淀积两部分专论

2024-06-13